IRF5800PbF
4.0
3.0
50
40
I D
TOP     -1.8A
-2.5A
BOTTOM -4.0A
30
2.0
20
1.0
10
Starting T J , Junction Temperature ( C)
0.0
25
50       75      100
T C , Case Temperature
125
( °C)
150
0
25
50       75      100      125
°
150
100
10
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
Fig 10. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.1                  1
10
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
相关PDF资料
IRF5804TRPBF MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
IRF6100PBF MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
IRF6100 MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
IRF6215L MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
IRF634B_FP001 MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
IRF640NL MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
IRF644B_FP001 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220
IRF6603TR1 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
相关代理商/技术参数
IRF5800TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Transistor Polarity:P Channel
IRF5801 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=0.6A)
IRF5801TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 0.6A 6TSOP - Tape and Reel
IRF5801TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF5802 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Id=0.9A)
IRF5802PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRF5802PBF_10 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:High frequency DC-DC converters
IRF5802TR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件